半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2018000725
- 開放特許情報登録日
- 2018/4/12
- 最新更新日
- 2018/4/12
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-239619 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/12/8 |
| 出願人 | 国立大学法人 琉球大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/6/15 |
| 発明の名称 | 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法 |
| 目的 | シンプルな電極構造のＰ型のＬＴＰＳ ＴＦＴを搭載した半導体装置、当該半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置を搭載した電子機器を実現する。 |
| 効果 | シンプルな電極構造のＰ型のＬＴＰＳ ＴＦＴを搭載した半導体装置、当該半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置を搭載した電子機器を実現することができる。 |
技術概要) |
基材と、
前記基材上に形成された真性半導体のシリコン層と、 前記シリコン層上に離間して形成された一対のメタル層と、 前記一対のメタル層の間の前記シリコン層上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備え、 前記シリコン層と前記メタル層との間はショットキー接合であり、 前記メタル層の仕事関数が４．５［ｅＶ］以上である、 ことを特徴とする半導体装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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