半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2018000725
開放特許情報登録日
2018/4/12
最新更新日
2018/4/12

基本情報

出願番号 特願2015-239619
出願日 2015/12/8
出願人 国立大学法人 琉球大学
公開番号 特開2017-107947
公開日 2017/6/15
発明の名称 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法
目的 シンプルな電極構造のP型のLTPS TFTを搭載した半導体装置、当該半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置を搭載した電子機器を実現する。
効果 シンプルな電極構造のP型のLTPS TFTを搭載した半導体装置、当該半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置を搭載した電子機器を実現することができる。
技術概要
基材と、
前記基材上に形成された真性半導体のシリコン層と、
前記シリコン層上に離間して形成された一対のメタル層と、
前記一対のメタル層の間の前記シリコン層上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備え、
前記シリコン層と前記メタル層との間はショットキー接合であり、
前記メタル層の仕事関数が4.5[eV]以上である、
ことを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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