気相成長装置の抵抗加熱ヒータのパージ方法、気相成長装置

開放特許情報番号
L2018000654
開放特許情報登録日
2018/4/5
最新更新日
2018/4/5

基本情報

出願番号 特願2011-255497
出願日 2011/11/22
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2013-110325
公開日 2013/6/6
登録番号 特許第5785065号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 気相成長装置の抵抗加熱ヒータのパージ方法、気相成長装置
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 表面処理、加熱・冷却
適用製品 気相成長装置
目的 気相成長装置において、アンモニアに対する耐腐食性を有し、高温でも使用可能な抵抗加熱ヒータとして、SiCをグラファイトに積層コーティングしたもの(以下「SiCヒータ」)が知られている。
しかし、SiCヒータを使用する場合、1400℃以上では窒素と反応してケイ素の窒化物を生成する。これにより、窒化した部分の輻射率が変化してしまい、基板の温度分布にばらつきが発生したり、窒化の進行に伴ってSiCヒータが徐々にやせ細り、最終的には断線してしまうという問題があった。  
このような問題を解決する気相成長装置を提供する。
効果 SiCヒータの温度を1400℃以上にすると共に、SiCヒータの周辺をパージするパージガスとして、Ar、Xeまたはこれらの混合ガスを用いるようにした。これにより、1400℃以上の高温であっても、キャリヤガスや原料ガスによりSiCヒータは窒化せず、またパージガス自体による窒化も生じない。その結果、SiCヒータの窒化による輻射率の変化等の問題が生ずることがなく、組成均一性、膜厚均一性、温度再現性が向上し、高品質のGaN薄膜が得られる。
また、SiCヒータの窒化が防止されるので、SiCヒータの劣化が抑制され、ヒータ寿命が延びる。
技術概要
パージガスのパージ方法及びこの方法を用いた気相成長装置であって、SiCヒータ(A)を用いて基板の温度を1000℃以上に加熱して基板に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置において、SiCヒータ(A)の温度を1400℃以上にすると共に、SiCヒータ(A)周辺をパージするパージガスとして、Ar、Xe、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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