トンネル電界効果トランジスタ及びその使用方法

開放特許情報番号

L2018000622

開放特許情報登録日

2018/3/30

最新更新日

2019/1/30

基本情報

出願番号	特願2015-050089
出願日	2015/3/12
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2016-171216
公開日	2016/9/23
登録番号	特許第6429688号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	トンネル電界効果トランジスタ及びその使用方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	トンネル電界効果トランジスタ
目的	オン電流量を向上させることのできるトンネル電界効果トランジスタを提供する。
効果	本発明の技術を用いることで、トンネル電界効果トランジスタのオン電流量を向上させることができる。
技術概要	高濃度ｐ型領域であるソース領域と、 前記ソース領域に接合する低濃度ｐ型領域である第１チャネル領域と、 前記ソース領域との接合面とは別の面で接合する低濃度ｎ型領域である第２チャネル領域と、 前記第２チャネル領域の前記第１チャネル領域との接合面とは別の面で接合する高濃度ｎ型領域であるドレイン領域と、 前記ソース領域、前記第１チャネル領域、前記第２チャネル領域及び前記ドレイン領域で構成される通電領域と絶縁膜を介して接するゲート電極と を備え、 前記第１チャネル領域には、シリコン（Ｓｉ）単結晶にインジウム（Ｉｎ）と窒素（Ｎ）が添加物として加わっていることを特徴とする トンネル電界効果トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】