適用製品
雰囲気処理により組織制御・組成制御された窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜熱電半導体、その製造方法、及びこの熱電変換材料を使用した熱電発電素子
目的
製造されるＴｉＮ薄膜熱電半導体の配向性や熱電変換性能指数、出力因子等の特性を制御するためのスパッタ成膜条件を与える。
スパッタ成膜条件を適切に設定して成膜されたＴｉＮ薄膜熱電半導体及びそのようにして製造されたＴｉＮ薄膜熱電半導体を使用した熱電発電素子を提供する。
効果
スパッタに使用するプロセスガス中のＡｒ分圧比を制御することにより、作製されるＴｉＮ薄膜半導体の結晶配向性を制御でき、更にこの配向性変化にともなって熱電変換性能指数・出力因子を変化させることができる。
技術概要
窒素及びアルゴンからなるプロセスガスを使用して基板上にスパッタを行うことにより窒化チタン薄膜熱電半導体を製造する方法において、
製造される窒化チタン薄膜熱電半導体の結晶配向及び出力因子を前記プロセスガス中のアルゴン分圧比を設定することにより制御する、窒化チタン薄膜熱電半導体の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
