目的
半導体素子に適用可能なα−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶、α−Ｇａ↓２Ｏ↓３の製造方法、及び、それを用いた半導体素子の提供。
効果
本発明によるα−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶は、カーボン濃度が５×１０↑（１８）ｃｍ↑（−３）以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ｇａ↓２Ｏ↓３本来の特性を発揮できる。このようなα−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶は半導体素子に好適である。本発明によるα−Ｇａ↓２Ｏ↓３の製造方法によれば、ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ｇａ↓２Ｏ↓３が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。
技術概要
カーボン濃度は、５×１０↑（１８）ｃｍ↑（−３）以下である、α−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
