α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

開放特許情報番号
L2018000608
開放特許情報登録日
2018/3/30
最新更新日
2018/3/30

基本情報

出願番号 特願2015-035140
出願日 2015/2/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-155714
公開日 2016/9/1
発明の名称 α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 α−Ga↓2O↓3単結晶、半導体素子
目的 半導体素子に適用可能なα−Ga↓2O↓3単結晶、α−Ga↓2O↓3の製造方法、及び、それを用いた半導体素子の提供。
効果 本発明によるα−Ga↓2O↓3単結晶は、カーボン濃度が5×10↑(18)cm↑(−3)以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ga↓2O↓3本来の特性を発揮できる。このようなα−Ga↓2O↓3単結晶は半導体素子に好適である。本発明によるα−Ga↓2O↓3の製造方法によれば、ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ga↓2O↓3が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。
技術概要
カーボン濃度は、5×10↑(18)cm↑(−3)以下である、α−Ga↓2O↓3単結晶。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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