| 出願番号 |
特願2015-035140 |
| 出願日 |
2015/2/25 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2016-155714 |
| 公開日 |
2016/9/1 |
| 登録番号 |
特許第6422159号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
α−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶、半導体素子 |
| 目的 |
半導体素子に適用可能なα−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶、α−Ｇａ↓２Ｏ↓３の製造方法、及び、それを用いた半導体素子の提供。 |
| 効果 |
本発明によるα−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶は、カーボン濃度が５×１０↑（１８）ｃｍ↑（−３）以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ｇａ↓２Ｏ↓３本来の特性を発揮できる。このようなα−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶は半導体素子に好適である。本発明によるα−Ｇａ↓２Ｏ↓３の製造方法によれば、ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ｇａ↓２Ｏ↓３が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。 |
技術概要
 |
カーボン濃度は、５×１０↑（１８）ｃｍ↑（−３）以下である、α−Ｇａ↓２Ｏ↓３単結晶。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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