出願番号 |
特願2015-121248 |
出願日 |
2015/6/16 |
出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 |
特開2017-007871 |
公開日 |
2017/1/12 |
登録番号 |
特許第6436538号 |
特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
発明の名称 |
ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
半導体素子 |
目的 |
半導体素子に適用可能なε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供すること。 |
効果 |
本発明によるε−Ga2O3単結晶は、カーボン濃度が5×1018cm−3以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、ε−Ga2O3本来の特性を発揮できる。このようなε−Ga2O3単結晶は半導体素子に好適である。本発明によるε−Ga2O3の製造方法によれば、ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いε−Ga2O3が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。 |
技術概要
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本発明によるε−Ga2O3単結晶は、カーボン濃度が5×1018cm−3以下に制御されている。本発明によるε−Ga2O3を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にε−Ga2O3を成長するステップを包含する。基板は、空間群P63mcを有する単結晶基板またはβ−Ga2O3からなる単結晶基板である。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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