ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

開放特許情報番号
L2018000537
開放特許情報登録日
2018/3/8
最新更新日
2018/3/8

基本情報

出願番号 特願2015-121248
出願日 2015/6/16
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-007871
公開日 2017/1/12
発明の名称 ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子
目的 半導体素子に適用可能なε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供すること。
効果 本発明によるε−Ga2O3単結晶は、カーボン濃度が5×1018cm−3以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、ε−Ga2O3本来の特性を発揮できる。このようなε−Ga2O3単結晶は半導体素子に好適である。本発明によるε−Ga2O3の製造方法によれば、ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いε−Ga2O3が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。
技術概要
本発明によるε−Ga2O3単結晶は、カーボン濃度が5×1018cm−3以下に制御されている。本発明によるε−Ga2O3を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にε−Ga2O3を成長するステップを包含する。基板は、空間群P63mcを有する単結晶基板またはβ−Ga2O3からなる単結晶基板である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT