| 出願番号 |
特願2015-121248 |
| 出願日 |
2015/6/16 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2017-007871 |
| 公開日 |
2017/1/12 |
| 登録番号 |
特許第6436538号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ε−Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体素子 |
| 目的 |
半導体素子に適用可能なε−Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供すること。 |
| 効果 |
本発明によるε−Ｇａ２Ｏ３単結晶は、カーボン濃度が５×１０１８ｃｍ−３以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、ε−Ｇａ２Ｏ３本来の特性を発揮できる。このようなε−Ｇａ２Ｏ３単結晶は半導体素子に好適である。本発明によるε−Ｇａ２Ｏ３の製造方法によれば、ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いε−Ｇａ２Ｏ３が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。 |
技術概要
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本発明によるε−Ｇａ２Ｏ３単結晶は、カーボン濃度が５×１０１８ｃｍ−３以下に制御されている。本発明によるε−Ｇａ２Ｏ３を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にε−Ｇａ２Ｏ３を成長するステップを包含する。基板は、空間群Ｐ６３ｍｃを有する単結晶基板またはβ−Ｇａ２Ｏ３からなる単結晶基板である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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