垂直磁化膜構造およびその製造方法、それを用いた磁気抵抗素子およびその製造方法、ならびにこれらを用いたスピントロニクスデバイス
- 開放特許情報番号
- L2018000533
- 開放特許情報登録日
- 2018/3/8
- 最新更新日
- 2019/10/22
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-163996 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/8/21 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/2/23 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 垂直磁化膜構造およびその製造方法、それを用いた磁気抵抗素子およびその製造方法、ならびにこれらを用いたスピントロニクスデバイス |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 垂直磁化膜構造、垂直磁化膜構造を用いた磁気抵抗素子 |
| 目的 | 強磁性層と酸化物層間の界面固相反応を利用することで従来の問題点を解消し、高い界面誘起磁気異方性を示す垂直磁化膜構造とその製造法を提供する。また、当該垂直磁化膜構造を用いて形成した垂直ＭＴＪ素子とその製造法を提供する。さらにこの方法で作製した垂直ＭＴＪ素子をもとに構成したスピントロニクスデバイスを提供する。 |
| 効果 | Ｃｏ↓２ＦｅＡｌに代表されるＡｌを含むＣｏ基フルホイスラー合金膜にＭｇ、Ａｌを主体とする金属合金膜を形成した後に酸化処理を行うことで形成させたＭｇ−Ａｌ−Ｏ層を用いることで、Ｃｏ基フルホイスラー合金からＡｌ原子がＭｇ−Ａｌ−Ｏ層へ拡散する界面固相反応が引き起こさせることを利用し、強い界面誘起垂直磁気異方性を発生させることによって垂直磁化膜を実現するとともに，それを用いた垂直磁化型垂直ＭＴＪ素子、さらにはスピントロニクスデバイスの提供ができる。 |
技術概要) |
（００１）面方位の立方晶系単結晶または（００１）面方位をもって成長した立方晶系配向膜を有する基板と、
当該基板の上に位置するとともに金属からなる下地層と、 当該下地層の上に位置するとともに、組成材料としてアルミニウムを含むコバルト基フルホイスラー合金もしくはコバルト基フルホイスラー合金の生成物層からなり（００１）面方位をもって成長した立方晶材料よりなる垂直磁化層と、 当該垂直磁化層の上に位置するとともにスピネル構造もしくはスピネル構造の陽イオンサイトが不規則化した構造を持つ酸化物であり、（００１）方位を有する非磁性層と、 を備えることを特徴とする垂直磁化膜構造。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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