薄膜トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号

L2018000532

開放特許情報登録日

2018/3/8

最新更新日

2018/4/23

基本情報

出願番号	特願2016-213693
出願日	2014/5/2
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2017-041646
公開日	2017/2/23
登録番号	特許第6296463号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子、金属材料
機能	機械・部品の製造
適用製品	薄膜トランジスタおよびその製造方法
目的	酸化インジウム等の第１金属酸化物へ金属（Ｍｅ）−Ｏ結合あるいは非金属−Ｏ結合の酸素のかい離エネルギーが第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな酸化物を添加することで、上記の問題の酸素欠損の量を制御し、また、ＳｉＯ↓２層に接する高誘電率層の形成で界面に生成するダイポールを利用してしきい値電圧を制御した、薄膜トランジスタを提供する。
効果	酸化インジウム等の第１金属酸化物へ金属（Ｍｅ）−Ｏ結合あるいは非金属−Ｏ結合の酸素のかい離エネルギーが第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな酸化物を添加した複合金属酸化物の半導体層を用いることで、トランジスタ特性に優れた薄膜トランジスタを提供することができる。また、半導体層に更に追加の酸化物を添加した薄膜トランジスタでは、酸化物層として非晶質状態のものが得られやすくなるので、トランジスタ特性が一層良好な薄膜トランジスタを提供することができる。
技術概要	ソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と を設け、 前記半導体層が、酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第１金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな酸化物を添加した複合金属酸化物である、 薄膜トランジスタであって、 酸素のかい離エネルギーが前記第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも小さい追加の酸化物を、前記酸素のかい離エネルギーが前記第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな酸化物の添加量よりも少ない量だけ前記半導体層に一様に添加した、薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】