偏光可変エミッタ、これを用いたテラヘルツ時間領域分光装置、および偏光可変エミッタのバイアス分布を決定する方法

開放特許情報番号:L2018000529 開放特許情報登録日:2018/3/8 最新更新日:2020/5/28

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2015/8/28
公開日
2017/3/2
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
偏光可変エミッタのバイアス分布を決定する方法
開放特許情報
技術分野
情報・通信
機能
機械・部品の製造
適用製品
偏光可変エミッタ
目的
データ収集時間を改善し、光学セットアップを簡素化できるテラヘルツ時間領域分光分析用の偏光可変エミッタを提供する。
効果
直線偏光成分を回転させることができるテラヘルツエミッタを採用しているので、従来装置で設けられていた第2の回転偏光子/アナライザを設ける必要がなくなり、光学セットアップを簡素化できる。
また、本発明のテラヘルツ時間領域光学装置によれば、本発明の偏光可変エミッタと共に偏光に敏感なテラヘルツ検出器を使用することで、データ収集時間を改善し、光学セットアップを簡素化できるという効果がある。
技術概要
前記基板上に形成された二以上の対を有する対向電極であって、当該対向電極は対をなす対向電極の電極先端部に対して光伝導ギャップを設けた状態で対向する電極先端部を有すると共に、この電極先端部は電極尾端部の幅と比較して狭い幅を有する前記対向電極と、
前記対をなす対向電極の電極先端部に前記光伝導ギャップを横切ってバイアス電圧を印加するための電極パッドと、
前記光伝導ギャップを保持する前記基板の光伝導性材料からなる領域と、
を備え、0.01THzから100THzまでの周波数範囲の少なくとも一部の範囲にある周波数帯域の光を放射すると共に、前記電極パッドの各々に対して、前記光伝導ギャップを透過する光の偏光状態を変化させるバイアス電圧を印加するように構成されたことを特徴とする偏光可変エミッタ。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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