ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法

開放特許情報番号
L2018000527
開放特許情報登録日
2018/3/8
最新更新日
2018/3/8

基本情報

出願番号 特願2015-174571
出願日 2015/9/4
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-050485
公開日 2017/3/9
発明の名称 ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法
目的 ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドMISFETを作製するための条件を明らかにし、ノーマリーオフ/オン動作する水素化ダイヤモンドMISFETを作り分けることができるようにする。
効果 水素化ダイヤモンドMISFETを性能の実質的な劣化を伴うことなく簡単な処理によりノーマリーオフ化することができる。
技術概要
複数層構造のゲート酸化物を用いた水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法において、前記ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で160℃から350℃の範囲でアニールするステップを含む、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT