出願番号 |
特願2015-174571 |
出願日 |
2015/9/4 |
出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 |
特開2017-050485 |
公開日 |
2017/3/9 |
登録番号 |
特許第6519792号 |
特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
発明の名称 |
ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法 |
目的 |
ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドMISFETを作製するための条件を明らかにし、ノーマリーオフ/オン動作する水素化ダイヤモンドMISFETを作り分けることができるようにする。 |
効果 |
水素化ダイヤモンドMISFETを性能の実質的な劣化を伴うことなく簡単な処理によりノーマリーオフ化することができる。 |
技術概要
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複数層構造のゲート酸化物を用いた水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法において、前記ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で160℃から350℃の範囲でアニールするステップを含む、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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