| 出願番号 |
特願2015-174571 |
| 出願日 |
2015/9/4 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2017-050485 |
| 公開日 |
2017/3/9 |
| 登録番号 |
特許第6519792号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法 |
| 目的 |
ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴを作製するための条件を明らかにし、ノーマリーオフ／オン動作する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴを作り分けることができるようにする。 |
| 効果 |
水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴを性能の実質的な劣化を伴うことなく簡単な処理によりノーマリーオフ化することができる。 |
技術概要
 |
複数層構造のゲート酸化物を用いた水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法において、前記ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で１６０℃から３５０℃の範囲でアニールするステップを含む、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)