磁気抵抗素子、その用途及び製造方法、並びにホイスラー合金の製造方法

開放特許情報番号
L2018000524
開放特許情報登録日
2018/3/8
最新更新日
2018/3/8

基本情報

出願番号 特願2015-148660
出願日 2015/7/28
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2017-027647
公開日 2017/2/2
発明の名称 磁気抵抗素子、その用途及び製造方法、並びにホイスラー合金の製造方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気抵抗素子
目的 強磁性金属/非磁性金属/強磁性金属の3層構造を持つ薄膜の面直方向磁気抵抗効果(CPPGMR)を利用して高い磁気抵抗出力を発現する素子を提供する。
効果 従来の磁気抵抗素子よりも高い磁気抵抗出力を発現できる磁気抵抗素子を提供する、という実用上高い価値を有する顕著な技術的効果を実現することができる。
本発明の磁気抵抗素子は、磁気ヘッド、磁気再生装置等において、好適に使用することができる。
更に本発明は、高スピン分極率を持つホイスラー合金の新しい製造方法を提供する。
技術概要
それぞれホイスラー合金を含んでなる下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに該下部強磁性層と該上部強磁性層との間に挟まれたスペーサ層を備える磁気抵抗素子であって、該スペーサ層がAg及びCuから選ばれる少なくとも1の金属元素と、長周期型周期表の第2から第4周期までの非磁性金属元素から選ばれる少なくとも1の金属元素との、合金(但し、CuとZnからなるbcc構造の合金、CuとAlからなるbcc構造の合金、CuとBeからなるbcc構造の合金、AgとAlからなるbcc構造の合金、AgとMgからなるbcc構造の合金、及びAgとZnからなるbcc構造の合金を除く)を含んでなることを特徴とする、上記磁気抵抗素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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