ナノデバイス

開放特許情報番号
L2018000403
開放特許情報登録日
2018/2/22
最新更新日
2018/2/22

基本情報

出願番号 特願2016-545560
出願日 2015/8/25
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2016/031836
公開日 2016/3/3
発明の名称 ナノデバイス
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 ナノデバイス
目的 ナノ粒子の電荷状態を制御可能なナノデバイスを提供する。
効果 本発明によれば、複数のゲート電極の少なくとも一つをフローティングゲート電極として用いるため、ナノ粒子の電荷状態を任意に制御することができ、一つのナノデバイスで多値メモリを構成したり、一つのナノデバイスで書き換え可能な論理演算素子を構成することができる。よって、本発明によれば、省電力な単電子フラッシュメモリ、論理演算素子への応用が期待される。
技術概要
ナノサイズのギャップを有するように一方の電極と他方の電極とが配置されて成るナノギャップ電極と、
上記ナノギャップ電極間に設けられるナノ粒子と、
複数のゲート電極と、を備え、
上記複数のゲート電極のうち少なくとも一つをフローティングゲート電極として用い、前記ナノ粒子の電荷状態を制御する、ナノデバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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