| 出願番号 |
特願2016-545560 |
| 出願日 |
2015/8/25 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2016/031836 |
| 公開日 |
2016/3/3 |
| 登録番号 |
特許第6443699号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
ナノデバイス |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ナノデバイス |
| 目的 |
ナノ粒子の電荷状態を制御可能なナノデバイスを提供する。 |
| 効果 |
本発明によれば、複数のゲート電極の少なくとも一つをフローティングゲート電極として用いるため、ナノ粒子の電荷状態を任意に制御することができ、一つのナノデバイスで多値メモリを構成したり、一つのナノデバイスで書き換え可能な論理演算素子を構成することができる。よって、本発明によれば、省電力な単電子フラッシュメモリ、論理演算素子への応用が期待される。 |
技術概要
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ナノサイズのギャップを有するように一方の電極と他方の電極とが配置されて成るナノギャップ電極と、
上記ナノギャップ電極間に設けられるナノ粒子と、
複数のゲート電極と、を備え、
上記複数のゲート電極のうち少なくとも一つをフローティングゲート電極として用い、前記ナノ粒子の電荷状態を制御する、ナノデバイス。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)