ゲルマニウム層をチャネル領域とする半導体装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2018000401
開放特許情報登録日
2018/2/22
最新更新日
2018/6/22

基本情報

出願番号 特願2016-557764
出願日 2015/11/2
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2016/072398
公開日 2016/5/12
登録番号 特許第6316981号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ゲルマニウム層をチャネル領域とする半導体装置およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 ゲルマニウム層をチャネル領域とする半導体装置およびその製造方法
目的 オフ電流に対するオン電流の比を大きくすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果 本発明によれば、オフ電流に対するオン電流の比を大きくすることが可能な半導体装置を提供することができる。
技術概要
ゲルマニウム層内に形成された第1導電型を有するチャネル領域と、
前記ゲルマニウム層内に形成され、前記第1導電型と異なる第2導電型を有するソース領域およびドレイン領域と、
を具備し、
前記チャネル領域における酸素濃度は、前記ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の領域と前記少なくとも一方の領域を囲む前記第1導電型を有する領域との接合界面における酸素濃度より低いことを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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