InGaAlN系半導体素子

開放特許情報番号
L2018000321
開放特許情報登録日
2018/2/15
最新更新日
2018/2/15

基本情報

出願番号 特願2015-533999
出願日 2014/8/28
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2015/029435
公開日 2015/3/5
登録番号 特許第6212124号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 InGaAlN系半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子
目的 製造条件の制約を大幅に解消し、しかも安価で、優れた電気特性を有するInGaAlN系窒化物半導体層を備えた半導体素子を実現する。
効果 製造条件の制約が大幅に解消され、しかも安価で、優れた電気特性を有するInGaAlN系窒化物半導体層をチャネルとして備えた半導体素子が提供される。
技術概要
一般式In↓xGa↓yAl↓zN(但し、x+y+z=1.0)で表記される多結晶若しくは非晶質の窒化物半導体層が基板上に設けられている半導体素子であって、
前記窒化物半導体層の組成は、0.3≦x≦0.99、且つ、0≦z<0.4の範囲にあり、且つ、厚みが1nm以上10nm以下であり、
前記窒化物半導体層をチャネルとして備えている、
ことを特徴とするInGaAlN系半導体素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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