太陽電池および太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2018000319
開放特許情報登録日
2018/2/15
最新更新日
2018/2/15

基本情報

出願番号 特願2016-511357
出願日 2015/3/13
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2015/151422
公開日 2015/10/8
登録番号 特許第6188921号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 太陽電池および太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 太陽電池技術
目的 トップセルの結晶Si層を薄くして結晶Si層内でのオージェ再結合を抑制し、かつ、製造工程においても薄い結晶Si層が破損することのない、光電変換効率の高いタンデム型のSi太陽電池およびその製造方法を提供する。
効果 トップセルの開放電圧は、第2導電型結晶Si層を100μmとしたものに比較して、0.1V以上高くなり、高い電圧で電流を取り出すことができるため光電変換効率が向上する。
太陽電池の製造方法は、トップセルと基体若しくはボトムセルの「貼り合わせ」を400℃以下で行うため、水素化アモルファスSi層から水素が離脱して膜質を低下させることがなく、結晶Si層への新たな欠陥生成もない。
タンデム型の太陽電池とした場合には、タンデム化に伴うヘテロ接合セルの劣化が生じない。
技術概要
トップセルが単結晶Si基体の主面上に設けられており、
前記トップセルは、光入射側から、順次、第1透明導電層、第1導電型を有するアモルファスSi材料層、前記第1導電型とは逆の第2導電型を有する厚みが3μm〜30μmの単結晶Si層、第2導電型を有するアモルファスSi層、および第2透明導電層を有する積層構造を有し、
前記単結晶Si基体は、トップセル側に絶縁性透明パッシベーション層を有するバックコンタクト型結晶Siセル構造のボトムセルであり、
前記トップセルの前記第2透明導電層と前記ボトムセルの前記絶縁性透明パッシベーション層が接合されてタンデム化されており、
前記トップセルは、前記第1導電型を有するアモルファスSi材料層と前記単結晶Si層の間に、i型アモルファスSi材料層を備え、さらに、
前記第2導電型を有する単結晶Si層と前記第2導電型を有するアモルファスSi層との間に、i型アモルファスSi層を備えている、
ことを特徴とする太陽電池。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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