ピエゾ抵抗体をチャネルに用いたトランジスタおよび電子回路

開放特許情報番号

L2018000271

開放特許情報登録日

2018/2/8

最新更新日

2022/8/25

基本情報

出願番号	特願2016-507499
出願日	2015/3/6
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2015/137256
公開日	2015/9/17
登録番号	特許第6140885号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	ピエゾ抵抗体をチャネルに用いたトランジスタおよび電子回路
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	トランジスタおよび電子回路
目的	高降伏強度材料によるデバイス（トランジスタ）の支持構造を用いず、圧電体ゲートからピエゾ抵抗体チャネルへ効果的に圧力を印加可能で、さらに、ソースとドレインを入れ替え可能なトランジスタおよび電子回路を提供する。または、ソースとドレインを入れ替え可能なトランジスタおよび電子回路を提供する。
効果	高降伏強度材料によるデバイス（トランジスタ）の支持構造を用いず、圧電体ゲートからピエゾ抵抗体チャネルへ効果的に圧力を印加可能で、さらに、ソースとドレインを入れ替え可能なトランジスタおよび電子回路を提供することができる。または、ソースとドレインを入れ替え可能なトランジスタおよび電子回路を提供することができる。
技術概要	キャリアが伝導するピエゾ抵抗体と、 前記ピエゾ抵抗体に前記キャリアを注入するソースと、 前記ピエゾ抵抗体から前記キャリアを受けるドレインと、 前記ピエゾ抵抗体を囲むように設けられ、前記ピエゾ抵抗体に圧力を加える圧電体と、 前記圧電体が前記ピエゾ抵抗体に圧力を加えるように前記圧電体に電圧を印加するゲートと、 を具備することを特徴とするトランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】