III族窒化物膜の成長方法

開放特許情報番号
L2018000266
開放特許情報登録日
2018/2/8
最新更新日
2018/2/8

基本情報

出願番号 特願2008-551465
出願日 2007/1/19
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2007/084782
公開日 2007/7/26
登録番号 特許第5896442号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 III族窒化物膜の成長方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長の改良法
目的 故意にミスカットした基板を用いることによって、(Al、In、Ga、B)Nの大きな面積が基板表面に平行となるような、半極性窒化物の平坦な薄膜を成長することを可能とする。
効果 半極性窒化物層の成長のために故意にミスカットした(100)スピネル基板を用いることで、故意にはミスカットしていない基板に比べてより平坦な半極性窒化物層を製作できることが示された。さらに、投影されたGaN[0001]方向に平行な<011>方向への故意のミスカットを用いることで、故意にはミスカットしていないか、および/または<011>以外の他の方向にミスカットした基板に比べて、結果として単一ドメイン窒化物層になることが示された。
技術概要
III族窒化物膜を成長するための方法であって、
(a){100}MgAl↓2O↓4スピネル基板のミスカットした表面を形成するステップであって、該ミスカットした表面が<011>方向に0.5°〜3°の範囲のミスカット角度βを備えるステップと、
(b)前記基板の前記ミスカットした表面上に半極性{10−11}窒化ガリウム膜を成長するステップを備え、
前記半極性{10−11}窒化ガリウム膜の上面は平坦で少なくとも幅10μmであり、
前記半極性{10−11}窒化ガリウム膜は、x線回折により測定される半値全幅(FWHM)が0.55°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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