ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2018000257
開放特許情報登録日
2018/2/8
最新更新日
2018/2/8

基本情報

出願番号 特願2015-544904
出願日 2014/10/10
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2015/064338
公開日 2015/5/7
登録番号 特許第6169182号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
目的 高性能な半導体装置を提供する。
効果 本発明によれば、高性能な半導体装置を提供することができる。
技術概要
表面から1μmにおける酸素濃度が1×10↑16cm↑(−3)以上のシリコン組成比が10%以下の単結晶ゲルマニウム層を還元性ガス雰囲気中において、700℃以上において熱処理する工程を含み、
前記熱処理により、表面から1μmにおける前記ゲルマニウム層の酸素濃度は1×10↑16cm↑(−3)より低くなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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