ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法

開放特許情報番号
L2018000256
開放特許情報登録日
2018/2/8
最新更新日
2018/2/8

基本情報

出願番号 特願2015-534036
出願日 2014/6/6
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2015/029535
公開日 2015/3/5
登録番号 特許第6133991号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムを含む膜を備える半導体構造およびその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体構造およびその製造方法
目的 上面に絶縁膜が形成されたゲルマニウム層上面の平坦性を向上させること、または、絶縁膜および/または絶縁膜とゲルマニウム層との界面の劣化を抑制すること。
効果 本発明によれば、上面に絶縁膜が形成されたゲルマニウム層上面の平坦性を向上させること、または、絶縁膜および/または絶縁膜とゲルマニウム層との界面の劣化を抑制することができる。
技術概要
ゲルマニウム層と、
前記ゲルマニウム層の上面に形成され、酸化ゲルマニウムと、アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも1つの酸化物と、からなり、物理膜厚が3nm以下の第1絶縁膜と、
を具備し、
前記ゲルマニウム層と前記第1絶縁膜との界面における前記第1絶縁膜内の前記アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも1つの元素の前記少なくとも1つの元素とゲルマニウムとの和に対する原子組成比は10%以上かつ30%以下であることを特徴とする半導体構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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