グラフェン前躯体付きSiC基板の製造方法、グラフェン付きSiC基板の製造方法、及びグラフェン前躯体形成工程の処理条件の判定方法

開放特許情報番号
L2018000099
開放特許情報登録日
2018/1/24
最新更新日
2018/1/24

基本情報

出願番号 PCT/JP2017/016739
出願日 2017/4/27
出願人 学校法人関西学院
公開番号 WO2017/188382
公開日 2017/11/2
発明の名称 グラフェン前駆体付きSiC基板の製造方法及びSiC基板の表面処理方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、表面処理
適用製品 SiC基板上にグラフェン前駆体を形成する方法
目的 C原子による界面層を介さずにSiC基板上にグラフェンを形成する方法を提供する。
効果 SiC基板のSi面の略全体にグラフェン前駆体が形成されつつ、かつ、グラフェン前駆体がグラフェンに覆われていない構造が実現できる。また、例えばSiC基板とグラフェン前駆体との間に他の元素を挿入することで、SiC基板上に直接グラフェンを位置させることができる。この場合、SiC基板とグラフェン前駆体との間に挿入する元素を異ならせることでグラフェンの電子状態を異ならせることができる。
技術概要
SiC基板を加熱することで当該SiC基板の表面のSi面のSi原子を昇華させてグラフェン前駆体を形成するとともに、当該グラフェン前駆体がグラフェンに覆われる前に加熱を停止するグラフェン前駆体形成工程を含み、
前記グラフェン前駆体形成工程で処理されるSiC基板には、複数段の分子層からなるステップが形成されており、
前記ステップには、C原子の未結合手が1本の分子層よりも前記表面側に、C原子の未結合手が2本の分子層が位置するステップ構造が形成されていることを特徴とするグラフェン前駆体付きSiC基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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