| 出願番号 |
特願2018-514704 |
| 出願日 |
2017/4/27 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
WO2017/188382 |
| 公開日 |
2017/11/2 |
| 登録番号 |
特許第6708875号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
グラフェン前駆体付きＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板の表面処理方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、表面処理 |
| 適用製品 |
ＳｉＣ基板上にグラフェン前駆体を形成する方法 |
| 目的 |
Ｃ原子による界面層を介さずにＳｉＣ基板上にグラフェンを形成する方法を提供する。 |
| 効果 |
ＳｉＣ基板のＳｉ面の略全体にグラフェン前駆体が形成されつつ、かつ、グラフェン前駆体がグラフェンに覆われていない構造が実現できる。また、例えばＳｉＣ基板とグラフェン前駆体との間に他の元素を挿入することで、ＳｉＣ基板上に直接グラフェンを位置させることができる。この場合、ＳｉＣ基板とグラフェン前駆体との間に挿入する元素を異ならせることでグラフェンの電子状態を異ならせることができる。 |
技術概要
 |
ＳｉＣ基板を加熱することで当該ＳｉＣ基板の表面のＳｉ面のＳｉ原子を昇華させてグラフェン前駆体を形成するとともに、当該グラフェン前駆体がグラフェンに覆われる前に加熱を停止するグラフェン前駆体形成工程を含み、
前記グラフェン前駆体形成工程で処理されるＳｉＣ基板には、複数段の分子層からなるステップが形成されており、
前記ステップには、Ｃ原子の未結合手が１本の分子層よりも前記表面側に、Ｃ原子の未結合手が２本の分子層が位置するステップ構造が形成されていることを特徴とするグラフェン前駆体付きＳｉＣ基板の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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