気相エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル層付き基板の製造方法

開放特許情報番号
L2018000098
開放特許情報登録日
2018/1/24
最新更新日
2018/1/24

基本情報

出願番号 PCT/JP2017/016738
出願日 2017/4/27
出願人 学校法人関西学院
公開番号 WO2017/188381
公開日 2017/11/2
発明の名称 気相エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル層付き基板の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 下地基板に単結晶SiCのエピタキシャル層を気相成長させる方法
目的 高純度のSiCのエピタキシャル層を短時間で形成する方法を提供する。
効果 高純度のSiCエピタキシャル層を短時間で形成することができる。
原料ガスを導入するCVD等と比較して、エピタキシャル層を均一に成長させることができる。
技術概要
TaCを含む材料で構成されるTaC容器の内部に、多結晶SiCを含む材料で構成されるSiC容器を収容し、当該SiC容器の内部に下地基板を収容した状態で、
当該TaC容器内がSi蒸気圧となるように、かつ、温度勾配を設けて前記TaC容器を加熱することで、
前記SiC容器の内面がエッチングされることで昇華したC原子と、雰囲気中のSi原子と、が結合することで、前記下地基板上に単結晶SiCのエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程を行うことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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