傾斜支持台付き標準試料、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びＳｉＣ基板の評価方法

開放特許情報番号

L2018000097

開放特許情報登録日

2018/1/24

最新更新日

2020/3/18

基本情報

出願番号	特願2016-089094
出願日	2016/4/27
出願人	学校法人関西学院
公開番号	特開2017-199540
公開日	2017/11/2
登録番号	特許第6664133号
特許権者	学校法人関西学院
発明の名称	傾斜支持台付き標準試料、その製造方法、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びＳｉＣ基板の評価方法
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	機械・部品の製造
適用製品	走査型電子顕微鏡を評価するための標準試料
目的	走査型電子顕微鏡の品質を客観的に評価するための標準試料において、オフ角が大きい場合であっても性能を発揮可能な構成を提供する。
効果	走査型電子顕微鏡をより詳細に評価することができる。特に、従来ではオフ角を有する標準試料（ＳｉＣ基板）に対して３回対称性を観察することが困難であったが、傾斜支持台を用いることにより、３回対称性を観察することが可能となった。
技術概要	走査型電子顕微鏡の性能を評価するための走査型電子顕微鏡用標準試料と、 前記走査型電子顕微鏡用標準試料を支持する傾斜支持台と、 を備える傾斜支持台付き標準試料において、 前記走査型電子顕微鏡用標準試料は、六方晶系ＳｉＣ単結晶からなり、オフ角度を有しており、表面にハーフユニット高さのステップと原子レベルで平坦なテラスからなるステップ／テラス構造が形成されており、 それぞれのテラスの表面は、第１積層配向又は第２積層配向の何れかであり、 前記傾斜支持台の支持面は、前記走査型電子顕微鏡用標準試料のオフ角度と同じ傾斜角度であり、 テラスの表面の垂直線に対して、前記走査型電子顕微鏡から照射される電子線がなす角度を入射電子角度としたときに、 表面直下が第１積層配向のテラスの映像と、表面直下が第２積層配向のテラスの映像との明暗の差であるコントラストが前記走査型電子顕微鏡用標準試料のオフ角度によらず、前記入射電子角度に応じて変化することを特徴とする傾斜支持台付き標準試料。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	学校法人関西学院

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】