金属オキシハライドを原料とした金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドの合成方法、並びに、それを利用した半導体部材の製造方法

開放特許情報番号
L2017002305
開放特許情報登録日
2017/12/14
最新更新日
2018/7/25

基本情報

出願番号 特願2017-538507
出願日 2016/9/8
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 WO2017/043586
公開日 2017/3/16
発明の名称 金属オキシハライドを原料とした金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドの合成方法、並びに、それを利用した半導体部材の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属オキシハライドを原料とした金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドの合成方法、並びに、それを利用した半導体部材の製造方法
目的 金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドの合成方法であって、2種類以上のハロゲンを含む場合でもハロゲン組成を容易に制御でき、しかも簡便且つ穏和な合成条件で合成可能な金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドの合成方法を提供する。
効果 原料の金属オキシハライドを硫化水素及び/又はセレン化水素と接触させることにより、簡便且つ穏和な合成条件で金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドを合成することができる。
技術概要
金属オキシハライドを硫化水素及び/又はセレン化水素と接触させることを特徴とする、金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドの合成方法。
100〜600℃の温度条件で前記金属オキシハライドを前記硫化水素及び/又は前記セレン化水素と接触させる、上記項1に記載の合成方法。
基材上に金属オキシハライドを含有する被膜を形成後、前記被膜を硫化水素及び/又はセレン化水素と接触させることにより金属サルファハライド及び/又は金属セレンハライドを合成することを特徴とする、半導体部材の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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