半導体装置

開放特許情報番号
L2017002283
開放特許情報登録日
2017/12/15
最新更新日
2017/12/15

基本情報

出願番号 特願2004-302696
出願日 2004/10/18
出願人 株式会社フジクラ
公開番号 特開2006-114814
公開日 2006/4/27
登録番号 特許第4717411号
特許権者 株式会社フジクラ
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 本発明は、シリコンウエハ等の半導体基板上に誘導素子が形成されてパッケージングされる半導体装置技術に関するものである。
従来の半導体装置では、配線を多層構造化することが必要となる場合がある。この場合には、異なる層に形成された誘導素子と配線とを接合する接合部(コンタクトホール)にて、インピーダンスの不整合が起こり、品質係数Q値が悪化することがあった。
本発明は、誘導素子を有する半導体装置において、Q値に優れた半導体装置を提供することを目的とするものである。
効果 本発明では、接合部の幅が、誘導素子を構成する第2の配線層の幅とほぼ同じまたはそれより大きくされているので、接合部で電流が阻害されることがなく、損失を低く抑えることができる。特に、高周波では、誘導素子内のインピーダンスの不整合を防ぐことができる。
従って、高いQ値(Quality Factor)(品質係数)を有する誘導素子を備えた半導体装置を得ることができる。
技術概要
 
本発明は、シリコンウエハ等の半導体基板上に誘導素子が形成されてパッケージングされる半導体装置技術に関するものである。
技術背景としては、近年、高周波半導体素子を作製する際には、そのインピーダンスマッチング等に利用する目的で、半導体基板上にスパイラルインダクタ等の誘導素子が形成されている。また、半導体基板と誘導素子との間に厚い樹脂層を介在させて電磁エネルギー損失を抑制するという提案がある。しかしながら、従来の半導体装置では、配線を多層構造化することが必要となる場合がある。この場合には、異なる層に形成された誘導素子と配線とを接合する接合部にて、インピーダンスの不整合が起こり、品質係数Q値が悪化することがあった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、誘導素子を有する半導体装置において、Q値に優れた半導体装置を提供するものである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 要相談

登録者情報

登録者名称 株式会社フジクラ

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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