半導体発光素子

開放特許情報番号
L2017002262
開放特許情報登録日
2017/12/13
最新更新日
2017/12/13

基本情報

出願番号 特願2013-154801
出願日 2013/7/25
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2015-026691
公開日 2015/2/5
登録番号 特許第6154693号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 半導体発光素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体発光素子
目的 表面プラズモン共鳴を利用して得られた高効率な発光を、基板とは逆側の端面側から効率よく取り出すことができる半導体発光素子を提供する。
効果 発光層として機能する活性層から、光取出側とは逆側である基板方向に出力された光を反射する金属層を、該活性層に対して光取出側とは逆側の所定の位置に設けているので、前記活性層から、前記基板方向に放出される光を、該光取出側に反射することができ、表面プラズモン共鳴を利用して得られた発光を光取出側から、従来よりも高い割合で効率よく取り出すことが可能となる。
技術概要
基板上に複数の層を積層してなる半導体発光素子であって、
前記複数の層は、n型半導体層およびp型半導体層と、これら2つの半導体層の間に配された活性層と、この活性層よりも光取出側の界面の近傍に配された、表面プラズモン層と、を含み、
前記活性層よりも前記基板側の所定の位置に設けられ、前記活性層から前記基板側に放出される光を、該光取出方向に反射する光反射層を含み、
前記光反射層が円環状の透孔部を備えるとともに、当該透孔部よりも光取出側に位置する前記表面プラズモン層が円環状とされ、該透孔部と該表面プラズモン層とが、前記積層方向に互いに重なり合うように構成されている、ことを特徴とする半導体発光素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT