シリコンの製造方法

開放特許情報番号
L2017002128
開放特許情報登録日
2017/11/30
最新更新日
2017/11/30

基本情報

出願番号 特願2012-074754
出願日 2012/3/28
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2013-011012
公開日 2013/1/17
登録番号 特許第6025140号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 シリコンの製造方法
技術分野 金属材料、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコンの製造方法
目的 二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供する。
効果 本発明のシリコンの製造方法によれば、二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができる。
技術概要
溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、電解還元装置として、電解槽の内面底部にシリコンからなる陰極が配置された電解還元装置を用い、前記シリコンからなる陰極上に二酸化ケイ素を載置させた状態で当該二酸化ケイ素を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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