薄膜トランジスタ素子の製造方法及び塗布型半導体層のパターニング方法

開放特許情報番号
L2017001968
開放特許情報登録日
2017/11/13
最新更新日
2017/11/13

基本情報

出願番号 特願2013-047330
出願日 2013/3/8
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2014-175502
公開日 2014/9/22
登録番号 特許第6202714号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 薄膜トランジスタ素子の製造方法及び塗布型半導体層のパターニング方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 パターニング方法
目的 塗布製法を用いて作製する薄膜トランジスタ素子(TFT素子)において、簡易な方法で半導体膜をパターニングすることにより、移動度の高い微細な薄膜トランジスタ素子の製造方法及び塗布型半導体層のパターニング方法を提供すること。
効果 塗布製法を用いて作製する薄膜トランジスタ素子において、簡易な方法で半導体膜をパターニングすることにより、移動度の高い微細な薄膜トランジスタ素子の製造方法及び塗布型半導体層のパターニング方法を提供することが可能となる。
技術概要
基板上に作製される薄膜トランジスタの製造方法であって、
絶縁膜上に活性領域となる塗布型半導体層を形成する際において、
水接触角が60°〜80°である前記絶縁膜にフッ素化処理を施すことにより水接触角が80°〜110°である疎水性領域を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、半導体材料を有機溶媒に溶解させた半導体溶液を塗布し、その後焼成することで、自己組織的に活性領域と非活性領域とをパターニングする工程と、
をこの順に備え、
前記絶縁膜が、シクロオレフィンポリマーまたはシクロオレフィン誘導体であり、前記絶縁膜及び前記疎水性領域それぞれの水接触角の差を20°〜30°の範囲内とすることを特徴とする薄膜トランジスタ素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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