カーボンナノチューブを用いた記憶素子

開放特許情報番号
L2017001850
開放特許情報登録日
2017/11/9
最新更新日
2017/11/9

基本情報

出願番号 特願2005-371606
出願日 2005/12/26
出願人 株式会社発明屋
公開番号 特開2006-092746
公開日 2006/4/6
登録番号 特許第4843760号
特許権者 株式会社発明屋
発明の名称 カーボンナノチューブを用いた記憶素子
技術分野 情報・通信、輸送
機能 材料・素材の製造
適用製品 素子
目的 構造が簡単で且つ素子の厚さを上述した従来の素子よりも小さくすることが可能な記憶素子を提供すること。
効果 従来の記憶素子と比較して素子の厚さを小さくすることが容易である。
技術概要
本発明の記憶素子は、電場応答素子と、絶縁層と、第1の電極と、第2の電極と、を備え、前記電場応答素子は電場に応答して前記絶縁層の表面に沿って直線的に伸縮するCNTからなる電場応答素子であり、前記電場応答素子の一端(伸縮する方向における一方の端部)は前記絶縁層に対して固定されており、前記電場応答素子の他端(伸縮する方向におけるもう一方の端部)は自由に変位でき、前記絶縁層の表面は平坦であり、前記第1の電極は前記一端に接続されており、前記第2の電極は前記電場応答素子が伸長したときに前記他端と接触する位置に固定して設けられている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社発明屋

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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