| 出願番号 |
特願2016-026949 |
| 出願日 |
2016/2/16 |
| 出願人 |
国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 |
特開2017-147297 |
| 公開日 |
2017/8/24 |
| 発明の名称 |
半導体光増幅器 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体光増幅器 |
| 目的 |
量子ドット形成において発生する歪エネルギーの蓄積に伴って起こる結晶品質の劣化を避け、高度な制御を用いずに高い結晶品質を維持でき、かつ再現性のよい製造方法で実現できる半導体光増幅器を実現する。 |
| 効果 |
電極の多重化という比較的簡単なプロセスにより偏光無依存のＳＯＡ（半導体光増幅素子）が作製可能になるため、再現性のよい製造プロセスとなり、歩留まりが向上する。これに伴い素子の製造コストを抑制できる。 |
技術概要
 |
量子ドットのアスペクト比をなるべく等方的にして、ＴＭ偏光の利得を得る。また、近接積層させず、通常の中間層を介した積層として歪の蓄積を回避する。偏光無依存化のために、２個以上に区切って個別に電流注入できる電極構造とする。通常は、ＴＥ偏光が支配的な利得を受ける。しかし、低い注入電流では、ＴＥ偏光の光吸収が優先的なので、最終的利得は、素子分離の仕方や注入電流でバランスさせて偏光無依存にすることができる。近接積層効果は、ＴＥ偏光の長波長化が１０％以下となるようにする。また、量子ドットのアスペクト比は１対１から１対２０までとする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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