| 出願番号 |
特願2015-220064 |
| 出願日 |
2015/11/10 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2017-088444 |
| 公開日 |
2017/5/25 |
| 登録番号 |
特許第6621304号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
半導体ウエハの製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体素子の製造方法 |
| 目的 |
ＭＳＥ法を用いてエピタキシャル層を成長させる半導体ウエハの製造方法において、結晶欠陥を殆ど含まない大きいサイズの半導体ウエハを製造する方法を提供する。 |
| 効果 |
エピタキシャル成長時に垂直方向に大きく成長して表面荒れの原因となる螺旋転位を予め除去できる。また、螺旋転位を含むエピタキシャル層を除去することで、凸部同士の間隔が空いてしまうが、空いた部分については、他のエピタキシャル層が水平方向に成長することでカバーすることができる。以上により、結晶欠陥を殆ど含まず、かつ大きいサイズの半導体ウエハを製造することができる。 |
技術概要
 |
ＳｉＣ基板の表面に凸部を形成するとともに、当該ＳｉＣ基板をＳｉ蒸気圧下で加熱することで当該ＳｉＣ基板をエッチングする第１工程と、
前記第１工程を行った前記ＳｉＣ基板の前記凸部側に炭素供給部材を配置しつつ、その間にＳｉ融液を介在させて加熱することで準安定溶媒エピタキシー法により前記ＳｉＣ基板の前記凸部をエピタキシャル成長させ、当該エピタキシャル成長を行うことで、螺旋転位を含むエピタキシャル層が螺旋転位を含まないエピタキシャル層よりも垂直（ｃ軸）方向に大きく成長し、当該螺旋転位を含むエピタキシャル層の少なくとも一部を除去する第２工程と、
前記第２工程を行った前記ＳｉＣ基板に再び前記準安定溶媒エピタキシー法を行うことで、螺旋転位を含まないエピタキシャル層同士が水平（ａ軸）方向に成長することで互いに分子レベルで接続し、前記ＳｉＣ基板のＳｉ面（０００１面）又はＣ面（０００−１面）の全面に１つの大面積の単結晶４Ｈ−ＳｉＣの半導体ウエハが生成される第３工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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