ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び表面処理方法

開放特許情報番号
L2017001422
開放特許情報登録日
2017/9/14
最新更新日
2017/9/14

基本情報

出願番号 特願2015-208012
出願日 2015/10/22
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2017-079314
公開日 2017/4/27
発明の名称 ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び表面処理方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び当該化学的活性種を用いた半導体基板の表面処理方法
目的 安価かつ安全な、ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び当該化学的活性種を用いた半導体基板の表面処理方法を提供する。
効果 安価かつ安全な、ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び当該化学的活性種を用いた半導体基板の表面処理方法を提供することができる。
技術概要
ボラザン及びボラジンの少なくとも一種を含むガスを加熱された金属体に接触させ該金属体をホウ素化する工程と、前記ガスの供給を絶った状態で前記金属体を加熱し化学的活性種BHx(xは0〜3の整数)を発生させる工程と、を備える、ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法。
前記BHxを、シリコンからなる被処理基板に供給する、表面処理方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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