スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置

開放特許情報番号
L2017001406
開放特許情報登録日
2017/9/13
最新更新日
2017/9/13

基本情報

出願番号 特願2016-234849
出願日 2016/12/2
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 特開2017-112365
公開日 2017/6/22
発明の名称 スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置
目的 低消費電力でより安定且つ高速で動作可能な新規なスピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置を提供する。
効果 低消費電力でより安定且つ高速で動作可能な新規なスピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置を提供することができる。
技術概要
常磁性体層13と、常磁性体層13の表面に形成され、常磁性体層13の表面電場を変調する自己組織化単分子膜14とを備える。また、常磁性体層13と、常磁性体層13の表面に形成され、常磁性体層13の表面電場を変調する自己組織化単分子膜14とを備える記憶素子を複数個配列して記憶装置を構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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