光電変換素子用多孔質酸化物半導体層及びその製造方法

開放特許情報番号
L2017001296
開放特許情報登録日
2017/8/25
最新更新日
2017/8/25

基本情報

出願番号 特願2012-076933
出願日 2012/3/29
出願人 大阪瓦斯株式会社
公開番号 特開2013-206825
公開日 2013/10/7
登録番号 特許第6032915号
特許権者 大阪瓦斯株式会社
発明の名称 光電変換素子用多孔質酸化物半導体層及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 多孔質酸化物半導体層及びその製造方法
目的 金属ナノ粒子による光吸収量を増大させつつ、金属ナノ粒子がリーク源となることを抑制することができ、光電変換素子を製造した際には光電変換効率を向上させることができる多孔質酸化物半導体層を提供する。
効果 金属ナノ粒子による光吸収量を増大させつつ、金属ナノ粒子がリーク源となることを抑制することができ、光電変換素子を製造した際には光電変換効率を向上させることができる多孔質酸化物半導体層を提供することができる。
技術概要
金属ナノ粒子が担持された多孔質酸化物半導体膜が、酸化物半導体からなり且つ金属ナノ粒子が担持されていない薄膜で被覆されている多孔質酸化物半導体層に、さらに、色素が担持されている光電変換素子用多孔質酸化物半導体層であって、前記金属ナノ粒子と前記色素との間に前記酸化物半導体からなり且つ金属ナノ粒子が担持されていない薄膜が介在している光電変換素子用多孔質酸化物半導体層。
光電変換素子用多孔質酸化物半導体層の製造方法であって、
(1)基板上に、酸化チタン及び金属ナノ粒子を含むペースト組成物を塗布して金属ナノ粒子が担持された多孔質酸化物半導体膜を得る工程、
(2)前記工程(1)で得た金属ナノ粒子が担持された多孔質酸化物半導体膜上を、酸化物半導体の前駆体を含む溶液中に浸漬した後に加熱する工程、及び
(3)工程(2)で得た金属ナノ粒子が担持された多孔質酸化物半導体膜が、酸化物半導体からなり且つ金属ナノ粒子が担持されていない薄膜で被覆されている光電変換素子用多孔質酸化物半導体層に、色素を担持させる工程
を備える、製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大阪ガス株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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