簡便に製造可能な光電変換装置
- 開放特許情報番号
- L2017001267
- 開放特許情報登録日
- 2017/8/25
- 最新更新日
- 2017/8/25
基本情報
| 出願番号 | 特願2012-041453 |
|---|---|
| 出願日 | 2012/2/28 |
| 出願人 | 大阪瓦斯株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2013/9/9 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 大阪瓦斯株式会社 |
| 発明の名称 | 簡便に製造可能な光電変換装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 光電変換装置 |
| 目的 | 真空プロセス製膜のみに依拠せず、簡便に製造可能な光電変換装置を提供する。 |
| 効果 | 光吸収層として、セレンを含むメッキ膜を採用することにより、真空プロセスを使用せず簡便に高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供することができる。 |
技術概要) |
光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置であって、セレンからなるメッキ膜、或いはセレンからなるメッキ膜とテルルからなるメッキ膜との複層からなる光吸収層を備え、且つ前記光吸収層が、透光性の多孔質電子輸送材料からなる電子輸送層上に形成される、光電変換装置。
前記透光性の多孔質電子輸送材料が、ＴｉＯ↓２、ＷＯ↓３、ＺｎＯ、Ｎｂ↓２Ｏ↓５及びＳｒＴｉＯ↓３よりなる群から選ばれる少なくとも１種である、光電変換装置。 前記電子輸送層が、第一電極層である透光性導電層上に形成される、光電変換装置。 前記透光性導電層が、フッ素ドープ錫酸化物、インジウム錫酸化物、ガリウムドープ亜鉛酸化物、アルミドープ亜鉛酸化物、及びニオブドープチタン酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層である、光電変換装置。 前記透光性導電層が、透光性基板上に形成される、光電変換装置。 前記光吸収層の上に、さらに、正孔輸送層を備える、光電変換装置。 前記正孔輸送層が、セレン、沃化物、コバルト錯体、鉄錯体、ＣｕＳＣＮ、ＭｏＯ↓３、ＮｉＯ、及び有機ホール輸送材よりなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層である、光電変換装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | 大阪ガス株式会社 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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