量産に適した方法で製造可能な光電変換素子
- 開放特許情報番号
- L2017001262
- 開放特許情報登録日
- 2017/8/25
- 最新更新日
- 2017/8/25
基本情報
| 出願番号 | 特願2011-045087 |
|---|---|
| 出願日 | 2011/3/2 |
| 出願人 | 大阪瓦斯株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2011/10/13 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 大阪瓦斯株式会社 |
| 発明の名称 | 量産に適した方法で製造可能な光電変換素子 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 光発電素子 |
| 目的 | 製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、再現性よく高い光電変換効率が得られる、ＣＩＳ太陽電池等に適した光電変換素子を提供する。 |
| 効果 | 製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、再現性よく高い光電変換効率が得られる、ＣＩＳ太陽電池等に適した光電変換素子を提供することができる。 |
技術概要) |
少なくとも、金属酸化物半導体層、及びインジウム及び硫黄を含む化合物からなるバッファー層を備え、該金属酸化物半導体層は、多孔質構造であり、且つ、該バッファー層は、金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成され、厚みが０．２〜１．０μｍである、光電変換素子。
前記インジウム及び硫黄を含む化合物が、Ｉｎ↓２Ｓ↓３である、光電変換素子。 金属酸化物半導体層は、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物及びチタン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種である、光電変換素子。 さらに、バッファー層上にスプレー法により形成されたカルコパイライト系半導体からなる光吸収層を備える、光電変換素子。 さらに、金属酸化物半導体層上に透光性導電層を備える、光電変換素子。 少なくとも、噴霧表面が１５０〜３５０℃に加熱された多孔質構造の金属酸化物半導体層上に、ＩｎＣｌ↓３及びＣＳ（ＮＨ↓２）↓２を含む原料溶液を、空気中で噴霧してバッファー層を形成する工程を備える、光電変換素子の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | 大阪ガス株式会社 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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