量産に適した方法で製造可能な亜鉛含有光電変換素子

開放特許情報番号
L2017001261
開放特許情報登録日
2017/8/25
最新更新日
2017/8/25

基本情報

出願番号 特願2011-051497
出願日 2011/3/9
出願人 大阪瓦斯株式会社
公開番号 特開2012-190901
公開日 2012/10/4
登録番号 特許第5583060号
特許権者 大阪瓦斯株式会社
発明の名称 量産に適した方法で製造可能な亜鉛含有光電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 亜鉛含有光発電素子
目的 In等のレアメタルの使用量を低減できるとともに、製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、高い光電変換効率が得られる、化合物半導体からなる太陽電池等に適した光電変換素子を提供する。
効果 光吸収層にIn等のレアメタルを使用しないため、In等のレアメタルの使用量を低減できるとともに、製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、高い光電変換効率が得られる、化合物半導体からなる太陽電池等に適した光電変換素子を提供することができる。
技術概要
Cu↓xZn↓yS↓z(x=2;y=1.5〜2.5;z=2.5〜3.5;x+y+z=7)の組成を有する化合物からなる光吸収層を少なくとも備える光電変換素子。
前記光吸収層が、スプレー法により形成される、光電変換素子。
さらに、前記光吸収層の上に、インジウム及び硫黄を含む化合物からなるバッファー層、及び金属酸化物半導体層を順次備える、光電変換素子。
前記インジウム及び硫黄を含む化合物が、In↓2S↓3である、光電変換素子。
前記光吸収層と前記バッファー層との界面に、前記光吸収層から前記バッファー層にかけて、前記光吸収層及び前記バッファー層を構成する元素の組成比が連続的に変化する相互溶融層を有する、光電変換素子。
前記バッファー層が、スプレー法により形成される、光電変換素子。
金属酸化物半導体層が、多孔質構造である、光電変換素子。
少なくとも、噴霧表面が250〜350℃に調整された基材上に、CuCl↓2、Zn(NO↓3)↓2及びCS(NH↓2)↓2からなる原料溶液を、空気中で噴霧して光吸収層を形成する工程を備える、光電変換素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大阪ガス株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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