不純物活性化方法、半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2017001156
開放特許情報登録日
2017/7/26
最新更新日
2017/7/26

基本情報

出願番号 特願2010-163253
出願日 2004/4/28
出願人 株式会社イー・エム・ディー
公開番号 特開2011-014914
公開日 2011/1/20
登録番号 特許第5302937号
特許権者 株式会社イー・エム・ディー
発明の名称 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 不純物活性化方法、および、半導体装置の製造方法
目的 シート抵抗が従来よりも低い不純物活性化方法、および、ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。
効果 不純物活性化方法は、パルスレーザー光におけるパルス幅、レーザーフルーエンスおよび照射パルス数を含む照射条件を変更することにより、パルスレーザー光照射後の不純物層のシート抵抗を制御する。これにより、容易にパルスレーザー光照射後の不純物層のシート抵抗を所望の値とし、シート抵抗を減少させることができる。
技術概要
半導体基板において該半導体基板よりも不純物濃度が高い不純物層が形成されており、該不純物層にパルス幅が10〜1000フェムト秒のパルスレーザー光を照射して、不純物層を活性化させる不純物活性化方法であって、前記パルスレーザー光におけるパルス幅、レーザーフルーエンスおよび照射パルス数を含む照射条件を変更することにより、パルスレーザー光照射後の不純物層のシート抵抗を制御し、前記パルスレーザー光のパルス幅と、パルスレーザー光照射後の不純物層のシート抵抗との関係において、前記パルス幅に対する前記シート抵抗の勾配が、所定のパルス幅閾値を境に変化し、該パルス幅閾値以下の領域における前記勾配が、パルス幅閾値以上の領域よりも大きく、前記パルス幅閾値以下のパルス幅で、不純物層にパルスレーザー光を照射することを特徴とする不純物活性化方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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