半導体物質の表面改質方法、半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2017001155
開放特許情報登録日
2017/7/26
最新更新日
2017/7/26

基本情報

出願番号 特願2004-134000
出願日 2004/4/28
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2005-317767
公開日 2005/11/10
登録番号 特許第5095073号
特許権者 株式会社イー・エム・ディー
発明の名称 半導体物質の表面改質方法、半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 表面処理
適用製品 固体試料の表面改質方法、半導体基板において形成された不純物層を活性化させる不純物活性化方法、および、半導体装置の製造方法
目的 イオン注入による異種原子や格子欠陥の残存がなく、界面が均一である固体試料の表面改質方法、シート抵抗が従来よりも低い不純物活性化方法、および、ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。
効果 固体試料の表面改質方法は、固体試料の表面層のみを、結晶質から非晶質に、非晶質から結晶質に改質させるため、イオン注入による異種原子や格子欠陥の残存がなく、界面が均一である改質層を固体試料の表面に形成することができる。不純物活性化方法は、パルスレーザー光におけるパルス幅、レーザーフルーエンスおよび照射パルス数を含む照射条件を変更することにより、パルスレーザー光照射後の不純物層のシート抵抗を制御する。これにより、容易にパルスレーザー光照射後の不純物層のシート抵抗を所望の値とし、シート抵抗を減少させることができる。
技術概要
半導体物質に対して、パルス幅が10〜1000フェムト秒のパルスレーザー光を照射し、前記半導体物質の表面層のみを、結晶相から非晶質相に改質させる半導体物質の表面改質方法であって、前記パルスレーザー光の照射の前に、前記半導体物質に電磁波を照射することにより価電子を伝導帯に励起することを特徴とする半導体物質の表面改質方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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