SiC単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2017001149
開放特許情報登録日
2017/7/20
最新更新日
2018/12/26

基本情報

出願番号 特願2017-067147
出願日 2017/3/30
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2018-168020
公開日 2018/11/1
発明の名称 SiC単結晶の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 SiC単結晶の製造方法
目的 カーボンからなるるつぼを使用して溶液法によりSiC単結晶を製造する際に、確実にSiC単結晶を製造することを可能にするSiC単結晶の製造方法を提供する。
効果 結晶育成工程において、るつぼに収容されているSi融液の液面がるつぼの内壁に接する部位での這い上がりが抑制され、SiCの種結晶に優先的にSiC結晶が晶出し、SiC単結晶を効率的に製造することができる。
技術概要
Si融液を収容するカーボンからなるるつぼを使用し、前記るつぼ内でSi融液の液面が接する範囲に、前記るつぼを構成するカーボンと比較してSi融液との濡れ性を低くする処理を施したるつぼを使用してSiCの単結晶を育成するSiC単結晶の製造方法。前記Si融液との濡れ性を低くする処理として、炭化ケイ素(SiC)、窒化ホウ素(BN)、炭化ホウ素(B4C)、窒化ケイ素(Si4C4)から選択されるいずれか一つの這い上がり抑制材を、前記るつぼの内壁面に被覆する処理を施したるつぼを使用するSiC単結晶の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡についての可・不可はその時の状況によります。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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