酸化物半導体素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2017001133
開放特許情報登録日
2017/7/17
最新更新日
2018/12/26

基本情報

出願番号 特願2017-065196
出願日 2017/3/29
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2018-170342
公開日 2018/11/1
発明の名称 酸化物半導体素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物半導体素子及びその製造方法
目的 新規なコンタクト層を備えた酸化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
効果 本発明の酸化物半導体素子では、塗布型のInGaZnO半導体薄膜の、電極との界面に、低抵抗のInGaZnOからなるコンタクト層を設けることにより、電極とのコンタクト抵抗を下げることができる。その結果、よりSS値が小さく、より低電圧で駆動できる、スイッチング特性の優れた薄膜トランジスタを実現できる。
本発明の酸化物半導体素子の製造方法は、従来の製造工程に、紫外光照射工程を付加するのみで、コンタクト層を備える半導体装置を製造することができる。
技術概要
酸化物半導体素子において、塗布型のIn−Ga−Zn系の酸化物半導体薄膜と電極との間にコンタクト層を設け、コンタクト層は、In−Ga−Zn系の酸化物半導体薄膜より低抵抗のIn−Ga−Zn系の酸化物からなる領域である。コンタクト層は、基材上に形成されたIn−Ga−Zn系の酸化物の前駆体塗布膜の一部に紫外光を照射した後、焼成することにより作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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