ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2017001028
開放特許情報登録日
2017/7/5
最新更新日
2017/7/5

基本情報

出願番号 特願2015-168227
出願日 2015/8/27
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2017-045897
公開日 2017/3/2
発明の名称 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
目的 より耐圧の高いダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
効果 ダイヤモンド電界効果トランジスタのダイヤモンド基板として多結晶のダイヤモンドを用いているので、より高い耐圧を得ることができる。
技術概要
多結晶のダイヤモンドからなるダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板の表面に互いに離間して設けられたドレイン電極及びソース電極と、前記ダイヤモンド基板の表面の前記ドレイン電極と前記ソース電極の間の領域を水素終端した水素化層と、前記水素化層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備えることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.1736)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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