グラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法

開放特許情報番号
L2017000983
開放特許情報登録日
2017/6/28
最新更新日
2017/6/28

基本情報

出願番号 特願2015-101455
出願日 2015/5/19
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2016-216288
公開日 2016/12/22
発明の名称 グラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却
適用製品 グラフェン層を積層したダイヤモンド基板の製造方法
目的 量産性があり、高品質であると同時に、低製造コストで半導体装置製造に直接使用可能で、設計した回路のとおりにグラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
効果 本発明に係るグラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法は、量産性があり、高品質であると同時に、低製造コストで半導体装置製造に直接使用可能で、設計した回路のとおりにグラフェン層積層ダイヤモンド基板を得ることができる。
技術概要
グラフェン層積層ダイヤモンド基板の製造方法は、ダイヤモンド基板にNi、Fe、Co、CuおよびCrからなる群から選ばれる1または2以上の金属からなる金属材を接触させる工程と、金属材を接触させたダイヤモンド基板を水素ガスまたは不活性ガス雰囲気下600〜1300℃の温度で加熱した後に急冷する工程と、を有することを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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