酸化物半導体及び半導体装置

開放特許情報番号
L2017000840
開放特許情報登録日
2017/5/31
最新更新日
2020/8/28

基本情報

出願番号 特願2019-501124
出願日 2018/1/22
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2018/155034
公開日 2018/8/30
発明の名称 酸化物半導体及び半導体装置
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 Snを含む複合酸化物により構成される酸化物半導体及び半導体装置
目的 可視光領域で光吸収が少なく、かつ高い荷電担体の移動度が実現できる新規な酸化物半導体及び該酸化物半導体を備えた半導体装置を提供する。
p型の半導体特性を示す酸化物半導体及び該酸化物半導体を備えた半導体装置を提供する。
効果 酸化物半導体において、ワイドギャップを有する透明でかつ高移動度の半導体を実現できた。また、p型の酸化物半導体を実現できた。
技術概要
フォーダイト構造を含む結晶構造を有し、Nb元素とSn元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Sn量に対するSn↑4+の割合であるSn↑4+/(Sn↑2++Sn↑4+)が0.006≦Sn↑4+/(Sn↑2++Sn↑4+)≦0.013であり、正孔が荷電担体となることを特徴とする酸化物半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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