| 出願番号 |
特願2019-501124 |
| 出願日 |
2018/1/22 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2018/155034 |
| 公開日 |
2018/8/30 |
| 登録番号 |
特許第6933400号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
酸化物半導体及び半導体装置 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
Ｓｎを含む複合酸化物により構成される酸化物半導体及び半導体装置 |
| 目的 |
可視光領域で光吸収が少なく、かつ高い荷電担体の移動度が実現できる新規な酸化物半導体及び該酸化物半導体を備えた半導体装置を提供する。
ｐ型の半導体特性を示す酸化物半導体及び該酸化物半導体を備えた半導体装置を提供する。 |
| 効果 |
酸化物半導体において、ワイドギャップを有する透明でかつ高移動度の半導体を実現できた。また、ｐ型の酸化物半導体を実現できた。 |
技術概要
 |
フォーダイト構造を含む結晶構造を有し、Ｎｂ元素とＳｎ元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Ｓｎ量に対するＳｎ↑4+の割合であるＳｎ↑4+／(Ｓｎ↑2+＋Ｓｎ↑4+)が０.００６≦Ｓｎ↑4+／(Ｓｎ↑2+＋Ｓｎ↑4+)≦０.０１３であり、正孔が荷電担体となることを特徴とする酸化物半導体。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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