| 出願番号 |
特願2015-097103 |
| 出願日 |
2015/5/12 |
| 出願人 |
国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 |
特開2016-213363 |
| 公開日 |
2016/12/15 |
| 登録番号 |
特許第6562248号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 発明の名称 |
超伝導トンネル接合素子の形成方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
超伝導トンネル接合素子の形成方法 |
| 目的 |
窒化ニオブを用いた超伝導トンネル接合素子を、安価に形成しかつ基板との接合面の均一性をより高くすることができる超伝導トンネル接合素子の形成方法を提供する。 |
| 効果 |
窒化チタンと窒化ニオブとは、格子整合性がよいので、平坦な窒化チタン層上に窒化ニオブ層が形成されることにより、結果として、主面に平行な面に配向したシリコン基板上に当該面に平行な面に配向した窒化ニオブが形成される。したがって、窒化ニオブを用いた超伝導トンネル接合素子を、安価に形成しかつ基板との接合面の均一性をより高くすることができる。 |
技術概要
 |
主面に平行な面に配向したシリコン基板に水素終端化処理を行い、水素終端化処理を行ったシリコン基板に対して第１の加熱を行うことにより水素を離脱させ、水素離脱後のシリコン基板に対して第２の加熱を行いながら当該シリコン基板上に窒化チタン層をスパッタリング法により形成し、窒化チタン層上に、当該窒化チタン層と接続される窒化ニオブ層を含む複数の層からなる超伝導トンネル接合層を形成する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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