ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム

開放特許情報番号
L2017000761
開放特許情報登録日
2017/5/17
最新更新日
2017/5/17

基本情報

出願番号 特願2012-186015
出願日 2012/8/27
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2014-045050
公開日 2014/3/13
登録番号 特許第6108519号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ドレイン電流を計算するシミュレーション装置及びそのプログラム
目的 半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型の薄膜トランジスタについて、ドレイン電流を高速かつ高精度に計算する。
効果 ハイスペックなコンピュータを用いることなく、高速かつ高精度にドレイン電流を計算することができる。半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のTFTについて、広い範囲のドレイン−ソース間電圧に対するドレイン電流を高速かつ高精度に計算することができる。半導体膜中にキャリアを捕獲する欠陥を含む蓄積型のTFTについて、ドレイン電流の基本特性を高速かつ高精度に計算することができる。ドレイン電流のドレイン電圧依存特性及び/又はゲート電圧依存特性を計算することができる。
技術概要
シミュレーション装置1は、電気的中性条件に基づきフラットバンド条件でのフェルミ準位を算出するフェルミ準位演算手段11と、フラットバンド条件での電荷担体密度を算出する電荷担体密度演算手段12と、電荷密度として、電子密度、ホール密度、ドナー密度、アクセプタ型欠陥及びドナー型欠陥の密度を考慮した一次元のポアソン方程式から半導体膜の深さ方向のポテンシャル分布を算出するポテンシャル分布演算手段14と、深さ方向のキャリア密度分布を算出するキャリア密度分布演算手段15と、キャリア面密度を求めるキャリア面密度演算手段16と、チャネル長方向の2以上の位置におけるキャリア面密度及び表面ポテンシャルを用いてドレイン電流を計算するドレイン電流演算手段17とを備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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