光変調素子の製造方法

開放特許情報番号
L2017000752
開放特許情報登録日
2017/5/17
最新更新日
2017/5/17

基本情報

出願番号 特願2012-133311
出願日 2012/6/12
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2013-257437
公開日 2013/12/26
登録番号 特許第6017190号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光変調素子の製造方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 空間光変調器の光変調素子の製造方法
目的 空間光変調器の画素としたときに開口率を大きくすることができる、光変調部の面積の大きな光変調素子について、簡易な製造方法を提供する。
効果 複数の磁化固定層を互いに異なる磁化方向に固定することが容易な並設デュアルピン構造のスピン注入磁化反転素子を、簡易な方法で製造することができる。
技術概要
2つのスピン注入磁化反転素子構造を有する光変調素子を製造する方法であって、透明な基板上に、磁化自由層、中間層、磁化固定層、保護膜をそれぞれ形成する材料を連続して成膜する成膜工程S10と、中間層までをエッチングして光変調素子における2つのスピン注入磁化反転素子構造間を分離する素子構造間分離工程S30と、光変調素子1の形状に加工する素子成形工程S40を行い、さらに保護膜の上からスピン注入磁化反転素子構造の一方の磁化固定層にイオンを照射するイオン照射工程S20を行う。イオンを照射された磁化固定層の保磁力が低下し、同一面内に形成された2つの磁化固定層の保磁力の大きさに差を設けて、2段階の磁界印加で互いに異なる磁化方向に固定することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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