スピン注入磁化反転素子および磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

開放特許情報番号
L2017000731
開放特許情報登録日
2017/5/17
最新更新日
2017/5/17

基本情報

出願番号 特願2012-040639
出願日 2012/2/27
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2013-175680
公開日 2013/9/5
登録番号 特許第6017149号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 スピン注入磁化反転素子および磁気抵抗ランダムアクセスメモリ
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 スピン注入磁化反転素子、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ
目的 セル単位で平行と反平行との両方向への磁化反転が自在であってメモリセルの微細化を可能とするスピン注入磁化反転素子およびこのスピン注入磁化反転素子を備えた磁気抵抗ランダムアクセスメモリを提供する。
効果 ユニポーラ駆動により、磁化が平行、反平行のいずれにもすることができ、ダイオードを素子選択回路素子としてメモリセルに設けることができる。本発明に係る磁気抵抗ランダムアクセスメモリによれば、縦横に直交させた一対の配線でメモリセル毎にデータの書込み/読出し動作が可能で、かつ高速で安定したものとすることができる。
技術概要
磁化固定層および磁化自由層を中間層を挟んで積層して備えるスピン注入磁化反転素子であって、
前記磁化自由層がフェリ磁性体を備え、
前記磁化固定層と前記磁化自由層とに一対の電極を接続して、電流の大きさを変化させて一方向に供給されることにより、前記電流の大きさに応じて前記磁化自由層の磁化方向が変化することを特徴とするスピン注入磁化反転素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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