深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法

開放特許情報番号
L2017000710
開放特許情報登録日
2017/5/11
最新更新日
2017/5/11

基本情報

出願番号 特願2015-130266
出願日 2015/6/29
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2017-017110
公開日 2017/1/19
発明の名称 深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 深紫外光を放射する半導体発光素子、該半導体発光素子を備える発光モジュール、及び該半導体発光素子の製造方法
目的 向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を提供する。
効果 本発明の半導体発光素子によれば、向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を提供することができる。本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を製造する方法を提供することができる。本発明の発光モジュールによれば、向上した光取り出し効率を有する、深紫外光を放射する半導体発光素子を備える発光モジュールを提供することができる。
技術概要
深紫外光を放射する半導体発光素子1は、第1の主面11aと、第1の主面11aと反対側の第2の主面11bと、第1の主面11aと第2の主面11bとの間に延在する側面11cとを有する基板11と、基板11の第1の主面上11aに設けられた活性層13とを備える。基板11の第1の主面11aと少なくとも一部の側面11cとがなす角の補角θは、20°以上70°以下、または、100°以上140°以下である。基板11の光吸収係数α(cm-1)及び基板11の厚さt(μm)は、340exp(−0.16α)≦t≦3200α-0.7を満たす。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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