電気的中点におけるＲＦプローブシステムの校正技術

開放特許情報番号

L2017000654

開放特許情報登録日

2017/4/27

最新更新日

2020/10/21

基本情報

出願番号	特願2017-015659
出願日	2017/1/31
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2018-125389
公開日	2018/8/9
登録番号	特許第6765104号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	電気的中点におけるＲＦプローブシステムの校正技術
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	機械・部品の製造
適用製品	高周波特性検査装置において試料の電気的中点を校正するための位置補正
目的	顕微鏡手法に依らず、高周波プローブを平面回路の仮決めの位置から高周波を放出して測定したＳパラメータの測定値をフィードバックしながらＸ，Ｙ，Ｚ軸に沿って移動させて電気的測定に最適なプローブ位置を探索し基準位置を決定する手段または校正方法、校正方法を実行するプログラムおよびプログラムを記録した記憶媒体、および高周波特性検査装置、を提供。
効果	顕微鏡の解像度や人の作業能力に依存せず、可動ステージやデバイス（ＤＵＴ）の平面度やアライメントの影響を除去し、２μｍ以下の精度でプローブ位置を決定する事が可能となり、平面回路を評価する際の測定のばらつきを抑制することができるようになった。 また本発明では測定に際してＳ端子（ポート）間の電気的な中立点を得るため、校正時の双方のプローブの非対称性による誤差を低減する事が可能になり、より校正理論と合致した校正を実現できる。
技術概要	離間して形成されたシグナル領域およびグランド領域を有する平面回路の電気的特性をその先端を前記平面回路の表面に接触させて高周波を放出して得たＳパラメータにより検査する一対の高周波プローブを備えた高周波特性検査装置であって、 前記高周波プローブはその先端に前記グランド領域に接触するグランド端子と前記シグナル領域に前記グランド端子と同時に接触するシグナル端子とを備え、 前記一対の高周波プローブは所定の間隔で対向して前記平面回路の表面に同時に接触するように構成されており、 前記平面回路の前記シグナル領域における前記一対の高周波プローブの基準位置の校正を、前記対向する一対の前記高周波プローブの各シグナル端子が前記シグナル領域において前記接触して前記高周波を放出して測定した各Ｓパラメータの反射特性およびその実部と虚部とに基づいて決定する電気的中点において行うことを特徴とする高周波特性検査装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】