光半導体素子

開放特許情報番号
L2017000533
開放特許情報登録日
2017/4/11
最新更新日
2017/4/11

基本情報

出願番号 特願2005-341942
出願日 2005/11/28
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2007-149937
公開日 2007/6/14
登録番号 特許第4718309号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 光半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光半導体素子
目的 従来より光閉じ込め係数の大きな半導体光素子により緩和振動周波数が高く高速に動作が可能な半導体レーザを提供する。また、光閉じ込め係数の大きな半導体光素子により同一の光利得で注入電流が小さな半導体光増幅器を提供する。
また、光閉じ込め係数の大きな半導体光素子により駆動電圧がより小さい光変調器を提供する。
効果 本発明は、活性層の光閉じ込め係数を高くすることができるので緩和振動周波数増大に対して効果があり、光半導体素子の高速化に対して効果がある。
技術概要
半導体基板上に、少なくとも1層以上の第1の導電型を有する半導体からなり光を導波する第1のガイド層、電子と正孔の発光再結合により発光する活性層、少なくとも1層以上の第2の導電型を有する半導体からなり光を導波する第2のガイド層、およびクラッド層がこの順に積層された多層膜と、前記多層膜を加工してなる光を導波するメサストライプ構造とを有し、前記半導体基板内の所望の位置に前記活性層に対向するように第1の誘電体層が埋め込まれ、前記クラッド層内に、前記クラッド層の少なくとも一つの側壁から離隔した位置に前記活性層に対向するように第2の誘電体層が埋め込まれた構造を有することを特徴とする光半導体素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所 知的財産本部

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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